Нанонауки. Невидимая революция - Лоранс Плевер Страница 9

Книгу Нанонауки. Невидимая революция - Лоранс Плевер читаем онлайн бесплатно полную версию! Чтобы начать читать не надо регистрации. Напомним, что читать онлайн вы можете не только на компьютере, но и на андроид (Android), iPhone и iPad. Приятного чтения!

Нанонауки. Невидимая революция - Лоранс Плевер читать онлайн бесплатно

Нанонауки. Невидимая революция - Лоранс Плевер - читать книгу онлайн бесплатно, автор Лоранс Плевер

Но что делать уже на следующем этапе (транзисторы величиной 32 нм), инженеры не знают. Можно бы опять уменьшить длину волны, но это потребует фотолитографии, способной работать в диапазоне крайнего ультрафиолета (длина волны 13,5 нм). Иначе говоря, понадобится сверхмудреная и соответственно очень дорогая оптика, чтобы фокусировать такие лучи и освещать ими поверхность полупроводника. Волны еще короче — это уже рентгеновское излучение: казалось бы, здорово — волны длиной порядка 1 нм. Но для таких коротких волн все прозрачно — из чего тогда делать маску? А оптику? Что это за линзы должны быть, чтобы управляться со столь коротковолновым — и жестким, то есть разрушающим вещество, особенно живое, — излучением?

Вместо рентгеновских лучей можно бы использовать пучки электронов: если электроны как следует разогнать, то длины волн тоже могут быть сколь угодно малыми. Электронная литография известна с 1960 года, тогда Готфрид Молленштедт в Тюбингенском университете в Германии воспользовался потоком электронов вроде тех, что применяются в электронных микроскопах, чтобы нанести на поверхность смолы тоненькие риски: он сумел нарисовать логотип своего университета штрихами длиной порядка 100 нм. Происходит, в сущности, то же самое, что и в оптической литографии: на полимерную пленку обрушивается поток электронов, и в пленке происходят химические изменения. Чтобы обнаружить эту перемену, достаточно обработать пленку растворителем — облученные участки смоются, те же, что не подвергались облучению, уцелеют, и, значит, появится задуманный узор. Пока что электронная литография применяется в производстве масок для фотолитографии, а в продвинутых исследовательских лабораториях и для изготовления самых маленьких транзисторов в мире — с расстояниями между входом и выходом в 20, 15 и даже 9 нм! Словом, пресловутая иголка в стоге сена! Причем сами эти транзисторы не остаются на поверхности полупроводника, а норовят вырасти над нею — получается что-то вроде россыпи грибов. Кучка таких новых транзисторов похожа (под микроскопом) на скопление лисичек или шампиньонов.

ВОТ И ПРЕДЕЛ

Но и этого мало — ученые просто жаждут изготавливать все меньшие и меньшие транзисторы. Хорошо бы, чтобы эти малюсенькие штучки еще и работали, сразу и надежно. Но чем больше транзисторов получалось за раз на одной пластинке, тем большая доля из их выводка оказывалась заведомо негодной — как говорится, вероятность дефектности возрастала. Инженерам не оставалось ничего другого, как пустить в дело сокровища ноу-хау и изобрести множество хитроумных технических уловок, чтобы обойти или перескочить препоны, мешавшие дальнейшей миниатюризации.

Среди прочих затруднений сильно докучала необходимость соединять транзисторы друг с другом. Если применять металлические проводники, то уже сегодня на 1 см2 полупроводниковой поверхности надо было бы как-то разместить 6 км медных или золотых «проводков», точнее, дорожек. По мере продвижения миниатюризации соединительные дорожки, формировавшиеся из алюминия, стали такими тонкими, что электронная волна (а электрический ток — это поток электронов) просто сносила атомы алюминия с насиженных мест и уносила их с собой. Атомы проводника становились блуждающими — и потому это явление называется электромиграцией. К тому же получать сверхчистый металл, например алюминий, трудно: в нити диаметром в нанометры и длиной в километры обязательно встретятся какие-то загрязненные участки, да и сама нить будет не сплошным кристаллом, а цепочкой металлических зерен. Значит, сопротивление электрическому току будет на разных участках нити неодинаковым — словно на границах между зернами и там, где есть включения иных химических элементов, кто-то установил резисторы. Электрическое поле будет особенно агрессивным на таких неоднородных участках, а если вымытых атомов станет слишком много, то в металлической дорожке появится не просто неоднородность, но пробел и ток не сможет течь. Иначе говоря, дорожка порвется. Справиться с электромиграцией удалось в 2001 году: алюминий заменили медью [11], которая не так подвержена электромиграции и вдобавок лучше проводит электрический ток. Иначе говоря, эта замена (для которой потребовалось 15 лет исследований и экспериментов) еще и сильно ускорила перемещение электронов внутри интегральных схем.

Задача производства 65-нанометровых транзисторов натолкнулась еще на одно затруднение. При таких размерах слой изоляции, накладываемый поверх транзистора и отделяющий управляющий электрод от полупроводникового «канала» (он соединяет вход транзистора с его выходом), становится не толще 1,2 нм. Следовательно, это всего пять-шесть слоев атомов. Значит, изоляция становится ненадежной, и электроны вполне могут просочиться с управляющего электрода в канал: транзистор «даст течь». А чем больше такая утечка, тем меньше сопротивление изолирующего слоя и попутно напряженность электрического поля между управляющим электродом и каналом. А это поле управляет транзистором: по мере его усиления или ослабления канал транзистора открывается или запирается. Если поле ненадежно, то и управлять потоком электронов внутри транзистора невозможно.

Обычно для изоляции используют оксид кремния (кремнезем). Это очень хороший изолятор — если нанести его достаточно толстым слоем. В нашем случае это невозможно, поэтому хорошо бы найти изолятор получше. Меньшая электропроводность у оксидов редкоземельных элементов, например у оксида гафния. Его применение уменьшило утечки в 10 раз. Однако любая перемена влечет за собой целую вереницу последствий. Оказалось, среди прочего, что оксид гафния плохо уживается с металлом, из которого изготовлены электроды транзистора, так что пришлось искать подходящий металлический сплав.

Само явление тока утечки имеет квантовую природу и объясняется квантовыми свойствами электрона. Эти свойства начинают проявляться как раз на расстояниях, меньших 65 нм. Пока инженеры, разрабатывавшие новые транзисторы, не дошли до этого предела, им не было нужды думать о квантах и квантовых эффектах. Но теперь без раздумий о подобных предметах обойтись было нельзя. Зато, научившись как-то справляться с квантовыми эффектами, инженеры смогли создать новые приборы и инструменты, работающие на расстояниях в 10-100 нм и имеющие размеры того же порядка. Это уже были не транзисторы — в новинках были задействованы иные квантовые явления. Но давайте сначала поглядим, как методы, выработанные в производстве микроэлектроники, вышли за границы электроники и начали распространяться совсем в иных технологических областях.

ЗАРАЗА МИНИАТЮРИЗАЦИИ

Итак, неуемная миниатюризация оторвалась от электроники и вторглась в другие уделы. Ее нашествие всегда и повсюду сопровождалось немалой сумятицей: много волнений, например, вызвала ее атака на механику. Станки и машины, предназначенные для производства деталей посредством точения, фрезерования и сверления, дошли до предела точности. Еще удавалось изготавливать прекрасные детали с допуском порядка одного микрометра, но двигаться дальше, казалось, уже некуда. В 1980-е годы в Калифорнийском университете оптимизацией обработки оксида кремния занимался Рихард С. Мюллер — он искал способы введения изоляторов в интегральные схемы. Знакомство с фотолитографией подсказало ему мысль о новом методе формирования микродорожки: пластинка кремния покрывается слоем оксида кремния и на поверхности этого оксидного слоя рисуется дорожка, которая потом гравированием врезается в собственно кремниевую пластинку. Из этой разработки родилась вся кремниевая микромеханика: процедуры, освоенные микроэлектроникой, вытеснили все привычные процессы, и детали, производимые методами микромеханики, стали совсем крошечными, и, главное, резко повысилась точность допусков и посадок. Размеры деталек съежились с величин порядка 100 мкм до считаных микрометров, а допуск точности уменьшился До нескольких нанометров. Потом из кремниевой микромеханики родились так называемые «микроэлектромеханические системы» (МЭМС — MEMS), под которыми подразумевались механические элементы (датчики, исполнительные механизмы и пр.) собственно электроники: эти устройства или принимают какой-то (не электрический) сигнал, или подают (электрическую) команду механическим элементам. И микроэлектронная промышленность начала производить МЭМС в количествах, сравнимых с количествами произведенных транзисторов, и при этом с малыми издержками.

Перейти на страницу:
Вы автор?
Жалоба
Все книги на сайте размещаются его пользователями. Приносим свои глубочайшие извинения, если Ваша книга была опубликована без Вашего на то согласия.
Напишите нам, и мы в срочном порядке примем меры.
Комментарии / Отзывы

Comments

    Ничего не найдено.